近日，Intel對外宣布了一項重大進展，其備受矚目的18A工藝（即1.8納米工藝）已準備就緒，迎接首批客戶項目的到來。據透露，該工藝預計將于2025年上半年正式啟動流片流程。

業內觀察家指出，Intel的18A工藝有望成為全球首個突破2納米大關的半導體制造工藝，這一成就將使Intel在工藝技術上領先臺積電一年。

在性能方面，Intel的18A工藝展現出了顯著優勢。與臺積電相比，除了SRAM密度相當外，18A工藝在每瓦性能上提升了15%，同時芯片密度相較于Intel 3工藝（應用于至強6系列處理器）提高了30%。這些改進無疑將為用戶帶來更加高效、強大的計算體驗。

Intel在18A工藝中引入了GAA晶體管架構和PowerVia背部供電技術。其中，PowerVia技術是Intel解決處理器邏輯區域電壓下降和干擾問題的首選方案，它的應用將進一步提升處理器的穩定性和性能。

與此同時，臺積電方面則表示，其2納米N2制程計劃于2025年底開始量產，而首批面向消費級市場的產品預計將在2026年中推出。盡管時間上稍晚于Intel，但臺積電在半導體制造領域的實力依然不容小覷。

Intel計劃將18A工藝應用于即將面世的Panther Lake筆記本處理器和Clearwater Forest服務器CPU上。這兩款新品不僅將搭載最新的制造工藝，還預計將帶來前所未有的性能提升。據悉，這兩款產品有望在年底前正式上市，屆時消費者將有機會親身體驗到18A工藝帶來的卓越性能。