近期，據(jù)首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)披露，三星電子已正式啟動(dòng)對(duì)1.0納米晶圓代工工藝的研發(fā)工作，此舉被視為其力圖在與臺(tái)積電的技術(shù)競賽中實(shí)現(xiàn)彎道超車的重要一步。

據(jù)悉，三星電子半導(dǎo)體研究所已組建了一支由頂尖研發(fā)人員構(gòu)成的專項(xiàng)團(tuán)隊(duì)，這些人員曾深度參與2納米等先進(jìn)制程技術(shù)的研發(fā)。在三星目前公開的晶圓代工工藝藍(lán)圖中，1.4納米工藝原計(jì)劃于2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，被視為其技術(shù)前沿的代表。

然而，三星并不滿足于現(xiàn)狀，而是將目光投向了更為先進(jìn)的1納米工藝。據(jù)首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，1納米工藝的研發(fā)將需要突破現(xiàn)有的設(shè)計(jì)框架，引入全新的技術(shù)理念，以及采用包括高數(shù)值孔徑極紫外（High-NA EUV）曝光設(shè)備等在內(nèi)的下一代生產(chǎn)設(shè)備。三星預(yù)計(jì)，這一工藝的量產(chǎn)時(shí)間將不早于2029年。

當(dāng)前，三星正在量產(chǎn)3納米工藝，并計(jì)劃在今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)2納米工藝的量產(chǎn)。然而，首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)指出，在技術(shù)上，三星仍落后于其主要競爭對(duì)手臺(tái)積電，尤其是在2納米工藝方面，臺(tái)積電的良率已突破60%，而三星則存在明顯的差距。因此，三星對(duì)1納米工藝寄予了厚望，希望借此縮小與臺(tái)積電的技術(shù)差距。

盡管面臨技術(shù)挑戰(zhàn)，但三星在2納米工藝的研發(fā)上仍取得了一定進(jìn)展。據(jù)韓媒The Bell此前報(bào)道，三星最新的2納米SF2工藝初始良率高于預(yù)期，搭載該工藝的Exynos 2600芯片試產(chǎn)良率已達(dá)到30%。

面對(duì)技術(shù)競賽的壓力，三星電子高層也表現(xiàn)出了堅(jiān)定的決心。三星會(huì)長李在镕上月向高管們強(qiáng)調(diào)，要延續(xù)三星重視技術(shù)的傳統(tǒng)，并表示要以前所未有的技術(shù)引領(lǐng)未來。這一表態(tài)無疑為三星在先進(jìn)制程技術(shù)研發(fā)上注入了強(qiáng)大的動(dòng)力。