在即將召開的國際固態電路會議（ISSCC）上，三星電子將揭開其最新的第10代3D NAND Flash的神秘面紗。這款NAND Flash采用了超過400層的堆疊技術，數據傳輸速度高達5.6 GT/s，標志著三星在存儲技術領域的又一次重大突破。
據悉，這款V-NAND Flash依然沿用了TLC（三級單元）架構，每個單元的存儲能力達到3位，而單個芯片的存儲容量則達到了驚人的1Tb（即128GB）。三星方面表示，這款超400層3D TLC NAND Flash的存儲密度高達28 Gb/mm2，盡管略低于其目前存儲密度最高的1Tb 3D QLC V-NAND（28.5 Gb/mm2），但仍處于行業領先地位。
在接口速度方面，三星第10代V-NAND的表現尤為搶眼。其5.6 GT/s的接口速度不僅遠超同類產品，如長江存儲的3.6 GT/s，更在數據傳輸速率上實現了質的飛躍。在如此高速的接口支持下，數據傳輸速率可達約700 MB/s，這意味著僅需10個這樣的設備，就能使PCIe4.0 x4接口達到飽和狀態；而如果使用20個設備，則足以讓PCIe5.0 x4這一超高速接口也滿載運行。
據相關媒體報道，三星計劃在ISSCC 10大會上正式推出這款第10代V-NAND。考慮到三星在新技術研發與量產方面的快速推進能力，業界普遍預計這款NAND Flash有望在明年正式投入批量生產。然而，關于這款新技術何時會應用到三星自家的SSD產品中，目前尚無確切消息。
無論如何，三星第10代V-NAND的推出無疑將進一步提升三星在存儲市場的競爭力。隨著數據量的不斷增長和存儲需求的日益多樣化，高性能、高密度的存儲解決方案正成為市場的迫切需求。三星此次推出的超400層3D TLC NAND Flash，無疑為市場提供了更多的選擇和可能性。
