三星電子在3D NAND閃存生產領域取得了引人矚目的技術進展。據韓媒The Elec最新報道，這家科技巨頭在光刻工藝上實現了重大革新，成功將光刻膠（PR）的使用量減半。

報道指出，在以往的3D NAND閃存生產過程中，每層涂層需要消耗7至8cc的光刻膠。然而，三星電子通過精密調控涂布機的旋轉速度，并對PR涂層后的蝕刻工藝進行了優化，現在每層涂層僅需4至4.5cc的光刻膠。這一改進不僅大幅降低了材料成本，還有望提升生產效率。

更為關鍵的是，三星電子引入了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠技術。傳統的光刻工藝中，每次只能形成一層涂層。而采用更厚的光刻膠后，三星電子能夠一次性形成多層涂層，從而顯著提高了工藝效率。然而，更厚的光刻膠也帶來了新的挑戰，其高粘度特性在涂層過程中可能導致均勻性問題。為了克服這一難題，三星電子與其長期合作伙伴東進半導體化學公司展開了緊密合作。

自2013年以來，東進半導體化學公司一直是三星電子KrF光刻膠的獨家供應商，為三星的第7代（11微米）和第8代（14微米）3D NAND產品提供了關鍵材料支持。據透露，從第9代3D NAND產品開始，三星電子將全面應用這項新技術。這一創新舉措預計將為三星電子節省每年數十億韓元的成本。

然而，這一技術革新也給東進半導體化學公司帶來了新的挑戰。作為三星電子的重要供應商，東進半導體每年從光刻膠業務中獲得約2500億韓元的收入，其中60%來自三星電子。隨著三星電子采用新技術減少光刻膠的使用量，東進半導體可能會面臨來自三星的訂單減少。這無疑將對該公司的業務產生一定影響。