近期，全球光刻機領域的領軍企業ASML的首席執行官克里斯托弗·富凱，在一次公開場合談及了中國半導體行業的發展現狀。他指出，盡管華為和中芯國際近年來在半導體技術上取得了顯著突破，但與Intel、臺積電和三星等國際巨頭相比，依然存在10至15年的技術差距。

富凱特別提到，ASML認為，在缺乏先進的極紫外（EUV）光刻機的情況下，即使華為和中芯國際能夠采用頂級的深紫外（DUV）光刻設備，其在芯片制造工藝上的技術水平也難以與臺積電等領先廠商相抗衡。這一觀點，無疑給中國半導體行業的技術追趕之路，增添了幾分挑戰的色彩。

然而，值得注意的是，華為在芯片研發領域取得的成就，卻在一定程度上打破了這一“技術差距”的論斷。據悉，華為的麒麟9010芯片，在性能上已經達到了高通驍龍888甚至更高水平。這一事實，讓人不禁對中國半導體行業的實際技術實力產生了新的思考。

如果按照ASML的說法，華為和中芯國際的技術落后國際巨頭10至15年，那么我國在芯片制造工藝上展現出的能力，就顯得尤為出色。因為，用看似落后的10年工藝，卻能制造出性能僅落后5年的芯片，這無疑是對我國芯片技術的一種高度肯定。從某種程度上說，這種表現甚至超出了ASML對中國半導體行業技術水平的預期。