近期，韓國媒體《Chosun Biz》報道了一則關于三星電子的重要進展。據悉，三星的DS部門內存業務已成功完成了HBM4內存邏輯芯片的設計工作。與此同時，該公司的Foundry業務部也已依據這一設計，利用4nm制程技術啟動了試生產流程。
在邏輯芯片完成最終的性能驗證后，三星電子計劃將這款自主研發的HBM4內存樣品提供給客戶。這一舉措標志著三星在高端內存技術領域的又一次突破。
邏輯芯片，被譽為HBM內存堆棧中的“大腦”，負責控制上方的多層DRAM Die。在HBM4時代，由于內存堆棧I/O引腳數量的增加以及功能的集成需求，業界三大內存原廠紛紛選擇采用邏輯半導體代工來制造邏輯芯片。這一趨勢反映了HBM4技術的復雜性和對先進制程的依賴。
業內專家指出，發熱問題是HBM內存面臨的主要挑戰，而邏輯芯片作為堆棧中的發熱大戶，其制程技術的改進對于提升HBM4的能效和性能至關重要。三星電子通過采用先進的4nm制程技術來制造邏輯芯片，旨在有效應對這一挑戰。
為了挽回在HBM3 (E)世代因質量問題而失去的市場份額，三星電子在HBM4的開發上采取了更為激進的技術策略。除了使用自家的4nm工藝制造邏輯芯片外，三星還計劃在HBM4上引入1c nm制程的DRAM Die，并有望在16Hi堆棧中采用無凸塊的混合鍵合技術。這些創新舉措有望進一步提升HBM4的性能和可靠性。
