SK海力士近期宣布了一項重大技術突破，正式量產全球首款具備321層堆疊技術的1TB TLC 4D NAND閃存。

據悉，自2023年6月成功量產238層NAND閃存以來，SK海力士持續引領存儲技術的前沿發展。此次推出的321層NAND閃存，不僅標志著技術層面的飛躍，更是全球首次實現超過300層堆疊的NAND閃存大規模生產。

在生產策略上，SK海力士巧妙地沿用了238層產品的開發平臺，此舉有效減少了工藝轉換帶來的潛在影響，并顯著提升了生產效率達59%。這一決策不僅確保了技術穩定性，還加速了新產品的市場投放進程。

與上一代產品相比，321層NAND閃存展現了更為出色的性能。數據傳輸速度提升了12%，讀取性能增強了13%，同時數據讀取能效也實現了超過10%的增長。這些提升對于滿足當前及未來市場對高效能存儲解決方案的需求至關重要。

SK海力士NAND開發團隊的負責人Jungdal Choi對此表示：“此次技術的革新，進一步鞏固了我們在AI存儲市場的領先地位，特別是在AI數據中心和終端設備AI應用所需的SSD領域。”