近期，存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的兩大巨頭鎧俠（Kioxia）與閃迪（SanDisk）攜手，在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（IEEE ISSCC）上驚艷亮相，專(zhuān)為人工智能（AI）應(yīng)用場(chǎng)景推出了一款革命性的3D閃存解決方案。這款解決方案將NAND接口速度推高至前所未有的4.8 Gbps，標(biāo)志著存儲(chǔ)性能的一次重大飛躍。

該方案的核心在于采用了最新的Toggle DDR6.0接口標(biāo)準(zhǔn)和SCA協(xié)議，使得數(shù)據(jù)傳輸速率飆升至4.8Gb/s，相較于上一代產(chǎn)品，性能提升了33%。這一突破性的速度提升，無(wú)疑為AI應(yīng)用提供了更為強(qiáng)勁的數(shù)據(jù)處理能力。

除了速度上的顯著提升，該3D閃存解決方案在功耗和密度方面同樣表現(xiàn)出色。通過(guò)引入PI-LTT技術(shù)，方案在數(shù)據(jù)輸入/輸出過(guò)程中實(shí)現(xiàn)了顯著的功耗降低，其中輸入功耗減少了10%，輸出功耗更是降低了34%。在密度方面，得益于332層的堆疊技術(shù)和優(yōu)化的平面布局，位密度相較于前代產(chǎn)品提升了59%，為用戶(hù)提供了更大的存儲(chǔ)容量。

鎧俠與閃迪還透露了關(guān)于未來(lái)兩代3D閃存產(chǎn)品的規(guī)劃。據(jù)悉，第九代產(chǎn)品將采用CBA技術(shù)，該技術(shù)融合了現(xiàn)有的存儲(chǔ)單元技術(shù)和全新的CMOS技術(shù)，旨在實(shí)現(xiàn)更高的性?xún)r(jià)比。而第十代產(chǎn)品則將進(jìn)一步在容量、速度和功耗方面取得突破，以滿(mǎn)足未來(lái)數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)性能的嚴(yán)苛需求。

CBA技術(shù)作為鎧俠與閃迪的一大創(chuàng)新，通過(guò)結(jié)合CMOS創(chuàng)新與成熟的存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)，為用戶(hù)提供了兼具高性能、低功耗和經(jīng)濟(jì)性的存儲(chǔ)解決方案。這一技術(shù)的引入，無(wú)疑將進(jìn)一步鞏固鎧俠與閃迪在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。