臺(tái)積電首席執(zhí)行官魏哲家近日表示，市場(chǎng)對(duì)2納米技術(shù)的興趣已顯著超越3納米技術(shù)，標(biāo)志著更先進(jìn)的2nm工藝正受到業(yè)界的廣泛青睞。這一趨勢(shì)預(yù)示著臺(tái)積電在未來(lái)數(shù)年內(nèi)有望保持強(qiáng)勁且穩(wěn)定的增長(zhǎng)。

盡管臺(tái)積電正積極在全球范圍內(nèi)擴(kuò)展其先進(jìn)制程技術(shù)的晶圓廠網(wǎng)絡(luò)，包括在美國(guó)、歐洲和日本等地進(jìn)行布局，但公司坦言，受到監(jiān)管政策的約束，其最尖端的生產(chǎn)技術(shù)仍無(wú)法轉(zhuǎn)移至這些海外基地。這一限制主要源于對(duì)核心技術(shù)外流的法律防范措施。

臺(tái)積電指出，其海外晶圓廠若想要生產(chǎn)2nm芯片，仍需經(jīng)過(guò)數(shù)年的深入規(guī)劃與準(zhǔn)備，以確保公司全球領(lǐng)先的工藝技術(shù)能夠繼續(xù)在本土得到保留與發(fā)展。

在臺(tái)積電的美國(guó)亞利桑那州布局方面，公司正穩(wěn)步推進(jìn)首座晶圓廠的建設(shè)工作，該廠預(yù)計(jì)將于2025年初投產(chǎn)，并率先采用4nm制程技術(shù)。初始月產(chǎn)能預(yù)計(jì)將介于2萬(wàn)至3萬(wàn)片之間，這將成為臺(tái)積電在海外先進(jìn)制程生產(chǎn)領(lǐng)域的重要里程碑。

隨后，臺(tái)積電計(jì)劃在同一地點(diǎn)建設(shè)第二座晶圓廠，該廠將采用更為先進(jìn)的3nm制程技術(shù)，并規(guī)劃月產(chǎn)能達(dá)到2.5萬(wàn)片。預(yù)計(jì)到2028年，這兩座工廠的合計(jì)月產(chǎn)能將提升至6萬(wàn)片。

臺(tái)積電還透露了第三座晶圓廠的建設(shè)計(jì)劃，該廠將瞄準(zhǔn)2nm或更為先進(jìn)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，并預(yù)計(jì)在2030年前完工。這一系列戰(zhàn)略布局不僅進(jìn)一步鞏固了臺(tái)積電在全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位，同時(shí)也為公司的長(zhǎng)期發(fā)展打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。