在內存技術的最新進展中，美光公司（Micron）已經成功地為英特爾（Intel）和AMD等客戶提供了1γ（gamma）DDR5的樣品，這一成就標志著美光在行業內率先實現了技術突破。
據韓媒chosun于近日報道，美光在交付的樣品中，采取了一種獨特的技術策略，即僅在樣品的一層中使用了極紫外光刻（EUV）設備。美光計劃通過減少EUV的使用，來加快尖端DRAM的量產速度。
美光公司選擇減少對EUV技術的依賴，轉而更多地采用成熟的氬氟浸沒式光刻（ArFi）工藝。據ASML的數據顯示，下一代深紫外光刻（DUV）系統使用193納米波長的氬氟激光，能夠實現38納米特征尺寸的打印。而EUV光刻雖然使用13.5納米波長的光，具有更高的精度，但其成本也相應更高。
美光方面表示，由于EUV技術尚未完全穩定，因此公司僅在必要時才使用。這一策略在短期內可能會提高量產速度，但從長期來看，可能會對芯片的良率和性能產生一定影響。
與美光不同，三星和SK海力士在DRAM技術的發展中更加依賴EUV層。自2020年起，三星在內存生產中就開始采用EUV技術，并計劃在其第6代10納米DRAM（1c）中應用超過5個EUV層。SK海力士也在2021年引入了EUV設備，并計劃在下一代1c DRAM中采用類似的策略。
盡管美光通過減少對EUV的依賴可能在短期內節省成本，但從長期來看，公司可能會面臨技術瓶頸。行業專家指出，ArFi工藝需要更多的步驟，這可能會導致良率下降。隨著EUV層數的增加，特別是超過三層后，技術難度將顯著提升。
美光的技術策略在行業內引發了廣泛的關注和討論。一方面，美光通過減少EUV的使用，試圖在保持技術領先的同時，降低生產成本并提高量產速度。另一方面，這種策略也引發了對于芯片良率和性能的擔憂。
