近期，IBM與日本頂尖芯片制造商Rapidus攜手，在國際電子器件領域的盛會——2024 IEEE IEDM會議上，共同展示了雙方合作研發的多閾值電壓GAA晶體管的最新成果。這一技術突破預示著Rapidus在2nm制程芯片量產方面邁出了重要一步。
隨著半導體工藝步入2nm時代，IBM指出，芯片制造技術迎來了前所未有的變革。傳統的FinFET（鰭式場效應晶體管）結構將被GAAFET（全環繞柵極場效應晶體管）所取代。這一轉變雖然帶來了性能上的飛躍，但也為如何實現多閾值電壓（Multi Vt）提出了新的挑戰。多閾值電壓技術對于芯片在較低電壓下執行復雜計算至關重要。
在2nm制程中，N型和P型半導體通道之間的距離極其狹窄，要求光刻技術達到前所未有的精度。IBM與Rapidus通過引入兩種獨特的選擇性減少層（SLR）芯片構建工藝，成功地在不影響半導體性能的前提下，實現了多閾值電壓的目標。這一成就標志著2nm芯片制造技術的重大進步。
IBM研究院的高級技術人員Bao Ruqiang對此表示：“與FinFET相比，Nanosheet納米片的結構更為復雜，但也更為先進。我們開發的新生產工藝不僅簡化了制造流程，還提高了可靠性，這為Rapidus在2納米片技術上實現大規模生產鋪平了道路。”
Bao Ruqiang進一步解釋，新生產工藝的簡化將使得Rapidus在制造2nm芯片時更加得心應手，從而加速這一先進技術的商業化進程。
此次合作不僅展示了IBM和Rapidus在半導體技術研發方面的深厚實力，也預示著全球芯片制造業即將迎來新的變革。隨著2nm制程技術的不斷成熟，未來的芯片將更加高效、節能，為科技行業的持續發展注入新的活力。
IBM與Rapidus的成功合作也為其他芯片制造商樹立了榜樣，展示了通過國際合作與創新，可以共同克服半導體技術發展的難題，推動整個行業的進步。
隨著2nm制程技術的逐步應用，未來的電子產品將擁有更加強大的性能和更低的能耗，為人們的生活和工作帶來更加便捷和高效的體驗。
